作為制造光伏電池和集成電路的基礎(chǔ)，硅片的清洗非常重要。清洗效果直接影響到光伏電池和集成電路的最終性能、效率和穩(wěn)定性。
清洗硅片不僅要去除硅片表面的雜質(zhì)，還要對硅片表面進(jìn)行鈍化處理，降低硅片表面的吸附能力。理論上，高質(zhì)量硅片表面不存在顆粒、金屬離子、有機(jī)附著、水蒸氣和氧化層。此外，要求硅片表面具有原子級平整度，硅片邊緣的掛鍵通過氫鍵終止。目前，由于硅片清洗技術(shù)的缺陷，大規(guī)模集成電路（LSI）在許多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用
ICS干冰清洗機(jī)|高效 環(huán)保 應(yīng)用廣泛
由于硅材料的清潔度不夠，出現(xiàn)問題甚至失效的比例達(dá)到50%，因此有必要對硅片的清洗工藝進(jìn)行優(yōu)化。
硅片可以用干冰清洗機(jī)嗎？
當(dāng)溫度超過31.1℃，壓力達(dá)到7.38mpa時(shí)，CO2處于超臨界狀態(tài)，可以實(shí)現(xiàn)氣固轉(zhuǎn)換。二氧化碳通過噴嘴突然從氣缸中噴出，壓力下降，體積迅速膨脹，二氧化碳的恒定焓發(fā)生變化。二氧化碳的氣液混合物產(chǎn)生固體干冰顆粒，從而實(shí)現(xiàn)硅片的清洗。干冰顆粒去除顆粒物和有機(jī)物雜質(zhì)的機(jī)理不同。
采用干冰微粒清洗技術(shù)對硅片進(jìn)行清洗效果十分理想，而且對硅片表面無損害，不會污染環(huán)境，是一種理想的清洗技術(shù)。
